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ENGIS化合物材料研磨機InP GaAs GaN

ENGIS化合物材料研磨機InP GaAs GaN

產品價格：￥1（人民幣）

規格：Ejw-400ifn-d規格2寸3寸4寸

發貨地：上海

品牌：

最小起訂量：11

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上海瞻馳光電科技有限公司

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郵編：201619

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商品詳情

品牌：engis型號：

可用于2寸3寸4寸InP　GaAs　GaN

所屬系列：半導體加工設備-減薄拋光設備-研磨機

操作界面人性化，人機交流非常簡易

使用大粒徑研磨液將Wafer快速減薄

可以精確控制Wafer目標厚度，將Wafer減薄至接近目標厚度時，借助厚度控制夾具Wafer將懸空丌再被研磨，可以雙頭、單片、多片加工，適合研發、量產，可兼容多尺寸Wafer

設備的設計理念及特征

搭載開槽裝置的超高精密研磨設備EJW-400IFN　是采用高剛性機體和獨自開發的水冷式主

軸，經常保持一定的定盤溫度，并且可以在超低震動狀態下高精度旋轉。另外，由于采用

高精度的開槽裝置，設備可以經常維持穩定高精度的定盤平坦度進行加工。

主要規格：

1-1研磨設備

設備型號EJW-400IFN

研磨盤直徑外徑φ380mm；內徑φ140mm

定盤轉速10~350rpm　可調（軟起動/停機）

主電機200V　1.5Kw　3相

加壓方式自重加壓

工件固定方式通過使用陶瓷修正輪用滾軸手臂固定

主軸部分高剛性水冷主軸

尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防塵蓋高度

重量1000Kg（NET）

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