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威創Viatran油壬壓力傳感器5093BQS經銷商江蘇

L：S陰離子廢水危害表面活性劑的種類繁多，對其毒害的評價要同時考慮具體某種物質及其降解產物的毒性�？赡茉斐傻挠绊懓�括急性毒性、亞急性毒性、慢性毒性、致癌性、致畸性、致突變性、致敏性等。一般認為，陽離子表面活性劑的毒性較大，常用來殺菌消毒，陰離子型表面活性劑具有一定毒性，非離子型表面活性劑的毒性相對較小，但有的降解產物毒性大。L：S屬中等毒性物質，而且毒性與疏水基的鏈長有關，疏水基鏈越長毒性越大。表面活性劑進入水體、土壤后能降低兩相界面的表面張力，會在界面上產生吸附，從而導致理化性質的改變。
VIATRAN是創新壓力和液位變送器的制造商。我們的高精度變送器和堅固耐用的壓力變送器可在廣泛的壓力和溫度范圍內提供可重復的測量。VIATRAN壓力變送器提供mV/V、電壓和4-20 mA輸出，以及各種電氣連接和壓力端口接頭。我們的壓力變送器產品系列包括標準負載壓力變送器、高精度壓力變送器、差壓變送器、浸入式壓力傳感器、過程壓力變送器、衛生型壓力變送器、齊平式安裝壓力傳感器、重載壓力變送器和特殊壓力傳感器。

半個世紀以來，Viatran一直致力于解決一些惡劣應用環境中的壓力、液位測量，極端溫度和快速響應問題 ，包括高腐蝕性介質、破壞性循環壓力、以及嚴重的沖擊和振動應用環境。Viatran壓力傳感器和液位測量變送器專門設計用于石油和天然氣服務、鋼鐵生產、食品和設備、壓鑄、化工生產和各種汽車和測試。

Viatran一直在設計和制造壓力傳感儀器石油和天然氣工業50多年來，我們非常熟悉鉆井、二次采油、海上和陸上生產的苛刻性能、可靠性和適應性要求。
美國威創 Viatran 壓力傳感器 5093BPS
美國威創 Viatran 壓力傳感器 5705BPSX1052
美國威創 Viatran 壓力傳感器 5093BQS
美國威創 Viatran 壓力傳感器 5093BMST85
美國威創 Viatran 壓力傳感器 520BQS
美國威創 Viatran 壓力傳感器 5093BPST25A
美國威創 Viatran 壓力傳感器 510BPSNK（6個接線）
美國威創 Viatran 壓力傳感器 423BFSX1413
威創Viatran油壬壓力傳感器5093BQS經銷商江蘇

兩級DTRO工藝的核心為DTRO成套設備。該成套設備采用碟片豎向擠壓形式組成膜柱，不同于目前的螺旋卷式膜組件。特殊的工藝設計，使得該膜組件進水流道寬度達到1mm，能夠承受較高的懸浮物濃度。該工藝具有流程簡單、占地面積小、施工周期短和不需要太多調控的優點。設備單位水量工程造價5萬～8萬元/m3，單位水量直接運行成本25~35元/m3（未包括濃縮液處理）。DTRO系統主要存在系統回收率低和化學清洗頻繁的問題。
EMG 伺服閥 LLS 675/02
EMG 伺服閥 SV1-10/32/315-6
EMG 伺服閥 SV1-10/8/315/6SV1-10/16/120/6
EMG 伺服閥 SV1-10/48/315-6
EMG 伺服閥 SV1-10/16/315-6
EMG傳感器KLW 300.012
EMG 位置傳感器 KLW 150.012
EMG 傳感器 KLW 225.012
EMG 位置傳感器 KLW 360.012
EMG 位置傳感器 KLW150.012
EMG 位置傳感器 KLW225.012
EMG 位置傳感器 KLW300.012
EMG 位置傳感器 KLW450.012
EMG 位置傳感器 KLW600.012
EMG 伺服閥 SV1-10/8/315/6
EMG 伺服閥 SV1-10/48/315/6
EMG 伺服閥 SV1-10/32/100/6
EMG 伺服閥 SV1-10/8/120/6
EMG 伺服閥 SV1-10/4/120/6
EMG 伺服閥 SV2-16/125/315/1/1/01
EMG 濾芯 HFE400/10H
EMG 位移傳感器 KLM300/012
EMG 對中整流器 LLS675/02
EMG 光 LIC1075/11
EMG 電路處理板 EVK2.12
EMG 電源 BK11.02
EMG 處理器 MCU16.1
EMG VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/
EMG 對中光源 LID2-800.2C
EMG 對中光源 LID2-800.2C
EMG 電動執行器 DMC2000-B3-160-SMC002-DCS
EMG 位移傳感器 KLW300.012
EMG 電路板 LIC2.01.1
EMG 推動桿EB1250-60IIW5T
EMG 推動桿EB800-60II
EMG 推動桿EB220-50/2IIW5T
EMG 推動桿EB300-50IIW5T
EMG 發射光源L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG 制動器ED121/6 2LL5   551-1
EMG 光電探頭EVK2-CP/800.71L/R
EMG 放大器EVB03/235351
EMG 對中控制SMI  2.11.1/2358100134300
EMG 電路板SMI   2.11.3/235990
EMG 泵DMC   249-A-40
EMG 泵DMC   249-A-50
EMG 泵DMC 30   A-80
EMG 泵DPMC   59-V-8
EMG 位置傳感器LWH-0300
EMG 電動執行器DMCR59-B1-10
EMG 伺服閥SV1-10/32/315/6
EMG 伺服閥SV1-10/32/315/8
EMG 伺服閥SV1-10/48/315/8
EMG 伺服閥SV2-10/64/210/6
EMG對中光源LID2-800.2C
EMG KLW300-012
CPC LS14.02
KLW 360.012
EPC EVM2-CP/1300.71/L/R
EPC CCDPro 5000
CPC LS13.01
EMG光電式測量傳器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG高頻光源 LLS875/01
EMG數字式控制器 ICON SE+VS/AE1054
EMG適配器 EVB03.01

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沖洗閥套件\APP21-46&APPWHC15-30\180B4170
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流污泥是從沉淀池底部流回曝氣池，但是進入沉淀池的水量是進水量加上回流量，回流的水量還是要在沉淀池重新沉淀，還是要占用表面負荷的是這樣嗎?答：你說的也有些道理，但還是錯了。沉淀池可分二部分，上面是泥水分離部分(澄清層)，下面是回流污泥濃縮部分(污泥層)，以幅流式為例，曝氣池混合液由沉淀池中心進水口流入，在泥水分離后，污泥下沉，分離的水上浮并溢流出池，污水占用的是澄清層的容積，污泥占用的是當下部污泥層的容積。.問：我們現在設計的二沉池是奧貝爾氧化溝后的沉淀池，氧化溝回流污泥濃度要求8，怕中進周出的回流污泥濃度達不到，因此建議采用周進周出，生產廠介紹此工藝用單管吸泥機，回流污泥濃度可達到8-12，對嗎?答：我認為不妥，如果今后污泥沉降性能差的話，回流污泥濃度不可能高，至少不會比幅流式高。我知道周邊進水式從理論上講沉淀效率比幅流式高，因為可以減少進水水能對沉淀的影響等因素，但如果污泥沉降性能稍差就會發生嚴重短流，使整個生化處理系統處理能力大大下降。.問：我廠的廢水主要含季胺鹽跟酒精現處理工藝為調節(預曝)--厭氧--缺氧--好氧--二沉---加藥--二沉--出水現未加藥加，處理量增加了3%進水25出水COD2，不可能擴建。有什么辦法修改部分工藝使出水水質達到1以下?答：在好氧池采用低劑量P：CT法，即粉末活性炭與活性污泥相結合的工藝。.問：一個工藝流程設計的問題。流量=36m3/d，COD=17mg/L，BOD=85mg/L，SS=1mg/L，色度=1倍，處理的是8%工業廢水和2%的生活污水。