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LED封裝方式是以芯片借由打線、共晶或覆晶的封裝技術與其散熱基板連結而成LED芯片，再將芯片固定于系統板上連結成燈源模組。  

       目前，LED封裝方法大致可區分為透鏡式以及反射杯式，其中透鏡的成型可以是模塑成型透鏡黏合成型；而反射杯式芯片則多由混膠、點膠、封裝成型；近年來磊晶、固晶及封裝設計逐漸成熟，LED的芯片尺寸與結構逐年微小化，高功率單顆芯片功率達1~3W，甚至是3W以上，當LED功率不斷提升，對于LED芯片載版及系統電路版的散熱及耐熱要求，便日益嚴苛。 鑒于絕緣、耐壓、散熱與耐熱等綜合考量，氮化鋁陶瓷基板成為以芯片次黏著技術的重要材料之一。其技術可分為厚膜工藝、低溫共燒工藝與薄膜工藝等方式制成。然而，厚膜工藝與低溫共燒工藝，是利用網印技術與高溫工藝燒結，易產生線路粗糙、對位不精準、與收縮比例問題，若針對線路越來越精細的高功率LED產品，或是要求對位準確的共晶或覆晶工藝生產的LED產品而言，厚膜與低溫共燒的氮化鋁陶瓷基板，己逐漸不敷使用。

       為此，高散熱系數薄膜陶瓷散熱基板，運用濺鍍、化學沉積，以及黃光微影工藝而成，具備金屬線路精準、材料系統穩定等特性，適用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的發展趨勢，更是解決了共晶封裝工藝對陶瓷基板金屬線路解析度與精確度的嚴苛要求。當LED芯片以氮化鋁陶瓷作為載板時，此led模組的散熱瓶頸則轉至系統電路板，其將熱能由LED芯片傳至散熱鰭片及大氣中，隨著LED芯片功能的逐漸提升，材料亦逐漸由FR-4轉變至金屬芯印刷電路基板，但隨著高功率LED的需求進展，MCPCB材質的散熱系數無法用于更高功率的產品，為此，氮化鋁陶瓷電路板的需求便逐漸普及，為確保LED產品在高功率運作下的材料穩定性與光衰穩定性，以氮化鋁陶瓷作為散熱及金屬布線基板的趨勢已日漸明朗。氮化鋁陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用氮化鋁陶瓷高散熱系數特性下，節省材料使用面積以降低生產成本，成為陶瓷LED發展的重要指標之一。因此，近年來，以氮化鋁陶瓷材料COB設計整合多晶封裝與系統線路亦逐漸受到各封裝與系統廠商的重視。   

       COB，在電子制造業里并不是一項新鮮的技術，是指直接將裸外延片黏貼在電路板上，并將焊線直接焊接在PCB的鍍金線路上，也是俗稱中的打線，再透過封膠的技術，有效的將IC制造過程中的封裝步驟轉移到電路板上直接組裝。在LED產業中，由于現代科技產品越來越講究輕薄與高可攜性，此外，為了節省多顆LED芯片設計的系統板空間問題，在高功率LED系統需求中，便開發出直接將芯片黏貼于系統板的COB技術。  

       COB的優點在于：高成本效益、線路設計簡單、節省系統板空間等，但亦存在著芯片整合亮度、色溫調和與系統整合的技術門檻。以25W的LED為例，傳統高功率25W的LED光源，須采用25顆1W的LED芯片封裝成25顆LED元件，而COB封裝是將25顆1W的LED芯片封裝在單一芯片中，因此需要的二次光學透鏡將從25片縮減為1片，有助于縮小光源面積、縮減材料、系統成本，進而可簡化光源系二次光學設計并節省組裝人力成本。此外，高功率COB封裝僅需單顆高功率LED即可取代多顆1瓦(含)以上LED封裝，促使產品體積更加輕薄短小。

  目前市面上，生產COB產品仍以使用MCPCB基板為主，然而MCPCB仍有許多散熱以及光源面積過大的問題須解決，故其根本之道，還是從散熱材料更新為有效的解決方案。氮化鋁陶瓷COB基板有以下幾個優勢：

    （1）更高的熱導率和更匹配的熱膨脹系數；

    （2）更牢、更低阻的導電金屬膜層；

    （3）基板的可焊性與耐焊性好，使用溫度范圍廣；

    （4）絕緣性好；

    （5）導電層厚度在1μm～1mm內可調；

    （6）高頻損耗小，可進行高頻電路的設計和組裝；

    （7）可進行高密度組裝，從而實現設備的短、小、輕、薄化；

    （8）不含有機成分，耐宇宙射線，在航空航天方面可靠性高，使用壽命長；

    （9）銅層不含氧化層，可以在還原性氣氛中長期使用。

    （10）三維基板、三維布線。