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陶瓷電路板陶瓷基板金屬化基板擁有良好的熱學和電學性能，是功率型LED封裝、紫光、紫外的極合適材料，特別適用于多芯片封裝(MCM)和基板直接鍵合芯片(COB)等的封裝結構。

一、陶瓷材料的比較

1.塑料和陶瓷材料的比較以環(huán)氧樹脂為代表的塑料材料具有經濟性特點，在電子市場的應用非常廣泛，然而隨著社會進步對許多特殊領域如高溫、線膨脹系數(shù)、氣密性、穩(wěn)定性、機械性能等方面要求的提高，塑料材料無法滿足新的市場要求。陶瓷材料以其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性等優(yōu)點，被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來制造各種電子元件。

2.氮化鋁與氧化鋁陶瓷基板的比較氮化鋁陶瓷基板具有兩大優(yōu)點，一個是高的熱導率，二是與硅相匹配的膨脹系數(shù)。缺點在于氧化層會對熱導率產生影響，對材料和工藝的要求較高。目前我國對大規(guī)模的氮化鋁生產技術不夠成熟，價格也比氧化鋁高。氧化鋁陶瓷基板是電子工業(yè)中最常用的基板材料，因為在機械、熱、電性能上相對于大多數(shù)其他氧化物陶瓷，強度及化學穩(wěn)定性高，且原料來源豐富，適用于各種各樣的技術制造以及不同的形狀。

二、基板種類及特性市面上陶瓷散熱基板種類大多分為HTCC、LTCC、DBC、DPC。

1.HTCC和LTCCHTCC屬于較早期發(fā)展的技術，但由于燒結溫度較高使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對昂貴，這些因素促使LTCC的發(fā)展，LTCC雖然將共燒溫度降至約850℃，但具有尺寸精確度、產品強度等不易控制的缺點。

2.DBC和DPC直接敷銅（DirectBondedCopper，DBC）技術是主要是基于Al2O3陶瓷基板發(fā)展起來的陶瓷表面金屬化技術，后來又應用于AlN陶瓷。在大功率電力半導體模塊、太陽能電池板組件、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、智能功率組件等領域獲得較為成功的應用。薄膜法（DPC）是微電子制造中進行金屬膜沉積的主要方法，主要用蒸發(fā)、磁控濺射等面沉積工藝進行基板表面金屬化，先是鈦，鉻然后再是銅顆粒，最后電鍍增厚，適用于絕大部分陶瓷基板。集成電路(IC)蝕刻制造工藝作為晶片級制造技術，能夠輕松完成高精度的微電子甚至納電子器件的制造。

三、斯利通陶瓷封裝基板較傳統(tǒng)基板的優(yōu)勢

1.更高的熱導率熱導率代表了基板材料本身直接傳導熱能的一種能力，數(shù)值愈高代表其散熱能力愈好。傳統(tǒng)的金屬基板具有較好的熱導率，但因金屬的導電性需要絕緣層，而絕緣層的導熱率只有1.0W/m.K.左右，大大影響了總體的熱導率。陶瓷基板具有絕緣性，無需使用絕緣層，熱導率整體很高。

2.更匹配的熱膨脹系數(shù)正常開燈時溫度高達80℃~90℃，溫度承受不住會導致焊接不牢。一般的燈是0.1w，0.3w，0.5w，對于1w，3w，5w，的燈時，PVC承受不住。陶瓷和芯片的熱膨脹系數(shù)接近，不會在溫差劇變時產生太大變形導致線路脫焊，內應力等問題。

3.導電層厚度在1μm～1mm內任意定制傳統(tǒng)的DBC技術只能制造100μm～600μm厚的導電層；傳統(tǒng)的DBC技術做﹤100μm時生產溫度太高會融化，做﹥600μm時銅層太厚，銅會流下去導致產品邊緣模糊。DPC技術國內能做到300um就很不錯了。斯利通的導電層厚度在1μm～1mm內任意定制，精度很準。

4.高密度組裝傳統(tǒng)厚膜技術大L/S分辨率僅100μm，耐焊性差，鋁-錳法大L/S分辨率僅100μm，且Mo、Mn本身導電性并不好。斯利通可以達到20μm，從而實現(xiàn)設備的短、小、輕、薄化。

5.三維基板、三維布線三維基板、三維布線是斯利通產品的獨特技術，其他的各種工藝都不能做到在三維陶瓷上做線路，而且蝕刻更困難，斯利通的工藝可以省略這些，市場獨有。