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陶瓷基板，是以電子陶瓷為基礎(chǔ)，對(duì)電路元件及外貼切元件形成一個(gè)支撐底座的片狀材料。陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等主要優(yōu)點(diǎn)。主要種類有：

A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應(yīng)用范圍廣，價(jià)格低廉。

B:氮化鋁陶瓷基片：導(dǎo)熱系數(shù)高，無(wú)毒，可代替BeO陶瓷基片。

C:氮化硅陶瓷基片：強(qiáng)度高，雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷，但可以通過減小厚度來減小熱阻。

D: BeO陶瓷基片：迄今為止良好的絕緣性陶瓷，但加工時(shí)產(chǎn)生的粉末會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生毒害作用。

E:滑石瓷：高頻性能好，成本低。

F:鐵氧體陶瓷片：可以減小電路體積，用于制作射頻微帶線及濾波電路。

G:超大規(guī)格陶瓷片

斯利通陶瓷電路板應(yīng)用：

H:拋光類陶瓷基片，可進(jìn)行單、雙面拋光加工，表面光潔度經(jīng)拋光處理后達(dá)到Ra:0.03-0.05μm，無(wú)孔洞現(xiàn)象，產(chǎn)品適合體積小、精度高、布線密度高。

A:陶瓷絕緣導(dǎo)熱片，TO-247、TO-264、TO-220等規(guī)格，高絕緣性、抗電擊穿、耐高溫、耐磨損、高強(qiáng)度，導(dǎo)熱系數(shù)25-30W/M.K 、耐壓13000V ，用于IC 、MOS管 、IGBT等功率電子器件的導(dǎo)熱絕緣。特殊應(yīng)用可選擇氮化鋁材料，熱阻是相同厚度氧化鋁材料的8分之一。

B:激光或金剛石劃線陶瓷片 可根據(jù)客戶圖紙生產(chǎn)

LED陶瓷散熱基板:

產(chǎn)品介紹：LED陶瓷散熱基板是指主要是利用陶瓷基板材料本身較佳的熱傳導(dǎo)性，采用DBC（高溫鍵合覆銅）或DPC（陶瓷電鍍銅）工藝在陶瓷上沉積銅電路，銅層和陶瓷之間為原子間鍵合，結(jié)合強(qiáng)度高，無(wú)阻礙導(dǎo)熱的膠黏劑層，可以將熱源率的從LED晶粒導(dǎo)出，使LED光源可以維持較高水平的發(fā)光效率和系統(tǒng)穩(wěn)性。

不同工藝陶瓷基板的應(yīng)用特性：依其線路制作方法可區(qū)分為厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、薄膜、DPC、DBC陶瓷基板等不同種類。厚膜陶瓷基板采用網(wǎng)印技術(shù)生產(chǎn)，用刮刀將材料印制于基板上，經(jīng)過干燥、燒結(jié)等步驟而成，網(wǎng)印方式制作的線路因?yàn)榫W(wǎng)版張網(wǎng)問題，容易產(chǎn)生線路粗糙、對(duì)位不的現(xiàn)象。因此，對(duì)于未來尺寸要求越來越小，線路越來越精細(xì)的高功率LED產(chǎn) 品，或是要求對(duì)位準(zhǔn)確的共晶或覆晶制程生產(chǎn)的LED產(chǎn)品，厚膜陶瓷基板的精確度已逐漸不敷使用。低溫共燒多層陶瓷技術(shù)，以陶瓷生料作為基板材料，將線路利用網(wǎng)印方式印刷于基板上，再整合多層的陶瓷基板，后透過低溫?zé)�結(jié)而成，而低溫共燒多層陶瓷基板之金屬線路層亦是利用網(wǎng)印制程制成，同樣有可能因張網(wǎng)問題造成對(duì)位誤差，多層陶瓷疊壓燒結(jié)后，還會(huì)考量其收縮比例的問題。并且厚膜電路和低溫共燒電路都存在銀離子遷移（會(huì)污染芯片發(fā)光層），電路耐焊性差等缺點(diǎn)。薄膜陶瓷基板為了改善厚膜制程張網(wǎng)問題，以及多層疊壓燒結(jié)后收縮比例問題，近來發(fā)展出薄膜陶瓷基板作為L(zhǎng)ED晶粒的散熱基板。薄膜散熱基板乃運(yùn)用濺鍍、電/電化學(xué)沉 積、以及黃光微影制程制作而成，但造價(jià)高不適合于普通照明光源應(yīng)用。

斯利通陶瓷線路板產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)異性（DPC或超薄銅DBC工藝）：

1，優(yōu)異的絕緣性能；

2， 銅電路導(dǎo)體，導(dǎo)電導(dǎo)熱能力比厚膜、薄膜電路更加；

3， 厚銅封裝面，平面方向?qū)�熱性能好�?

4， 長(zhǎng)久穩(wěn)固性，不隨溫度和時(shí)間的變化而老化；

5， 低翹曲度，無(wú)熱歪斜現(xiàn)象；