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一、物料概述
ESN4485是P溝道增強型MOS場效應晶體管。采用先進的溝槽技術和設計，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉換、電源開關和充電電路。標準產品ESN4485不含鉛。
二、功能特征
1、-40V，RDS（ON）=13 mΩ（Typ），VGS=-10V
RDS（ON）=17 mΩ（Typ），VGS=-4.5V
2、快速切換
3、低RDS的高密度電池設計（開）
4、材料：無鹵素
5、可靠且堅固
6、雪崩額定值
7、低泄漏電流
三、應用
1、PWM應用
2、負載開關
3、便攜式/臺式電腦的電源管理
4、DC/DC轉換
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