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當(dāng)按下SB2時(shí),:KM1瞬時(shí)出了三招,自鎖觸點(diǎn)閉合,常閉觸點(diǎn)斷開(kāi),常開(kāi)觸點(diǎn)閉合,這三招直接引發(fā)三大反應(yīng),一,電動(dòng)機(jī)開(kāi)始降壓?jiǎn)?dòng),二,KT2得電吸合,它的常閉觸點(diǎn)斷開(kāi),這時(shí)因KM3沒(méi)電未吸合,R2得以保命,沒(méi)有被短接切除,幸存下來(lái),三,KT1被斷電,它的常閉觸點(diǎn)延遲閉合,這就讓KM2得電,當(dāng)KM2常開(kāi)觸點(diǎn)閉合時(shí),R1被不幸的短接,電流有了捷徑可走,直接繞過(guò)R1,同時(shí)遭殃的還有KT2,這時(shí)R2成了電流的必經(jīng)之路。
初中物理學(xué)科中,電學(xué)是簡(jiǎn)單也是難的一部分,簡(jiǎn)單的原因是如果弄明白了電路圖,就會(huì)做所有的題目,難的原因是沒(méi)明白電路圖,就什么都不會(huì)。所以解電學(xué)的關(guān)鍵就是學(xué)會(huì)區(qū)分串、并聯(lián)電路,知道串、并聯(lián)電路的特點(diǎn),會(huì)分析電路圖,會(huì)將復(fù)雜的電路圖簡(jiǎn)化為簡(jiǎn)單的串、并聯(lián)電路。本期就給大家介紹幾種串、并聯(lián)電路的識(shí)別方法。一起來(lái)學(xué)習(xí)吧。串聯(lián)電路定義:兩個(gè)或兩個(gè)以上的用電器順次連接到電路中,這種連接方式叫做串聯(lián)。(用電器“首尾相連”)特點(diǎn):電流只有一條通路用電器之間相互影響開(kāi)關(guān)控制整個(gè)電路的通斷,且與開(kāi)關(guān)的位置無(wú)關(guān)并聯(lián)電路定義:兩個(gè)或兩個(gè)以上用電器并列連在一起再連接到電路中,這種方式叫做并聯(lián)電路。
步進(jìn)電機(jī)在以下情況下使用減速器:步進(jìn)電機(jī)切換定子相電流的頻率,如改變步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的輸入脈沖,使其變成低速運(yùn)動(dòng)。低速步進(jìn)電機(jī)在等待步進(jìn)指令時(shí),轉(zhuǎn)子處于停止?fàn)顟B(tài),在低速步進(jìn)時(shí),速度波動(dòng)會(huì)很大,此時(shí)如改為高速運(yùn)行,就能解決速度波動(dòng),但轉(zhuǎn)矩又會(huì)不足。即低速會(huì)轉(zhuǎn)矩波動(dòng),而高速又會(huì)轉(zhuǎn)矩不足。小型(50mm以下)PM型步進(jìn)電機(jī)的步距角為7.5°,此種電機(jī)會(huì)出現(xiàn)位置控制精度變化的。步進(jìn)電機(jī)的輸出軸采用直驅(qū)負(fù)載的方式,當(dāng)負(fù)載慣量大時(shí),會(huì)出現(xiàn)加速轉(zhuǎn)矩不足的現(xiàn)象。
字符串的默認(rèn)長(zhǎng)度為254B,如下圖所示,在DB3中定義字符串Fault的長(zhǎng)度為20個(gè)字符,它只占用從DB3.DBB20開(kāi)始的22B,其初始值只有4個(gè)字符“over”。String變量中未使用的字節(jié)地址被初始化為B#16#00.可以使用標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)的IEC苦衷的21個(gè)功能來(lái)處理字符串變量,見(jiàn)下表,包括字符串與其他數(shù)據(jù)類型的轉(zhuǎn)換、字符串比較和字符串編輯,具體方法參見(jiàn)在線幫助。數(shù)組數(shù)組(ARRAY)是同一類型的數(shù)據(jù)組合而成的一個(gè)單元,數(shù)組的維數(shù)多為6維。
假設(shè)用電流互感器測(cè)量變換器的原邊電流,原邊10A電流對(duì)應(yīng)1V電壓。當(dāng)然,我們可以用一個(gè)1V/10A=100mΩ的電阻來(lái)測(cè)量,但是電阻將造成的損耗為1V×10A=10W,這么大的損耗對(duì)幾乎所有的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)都是不能接受的。所以,要選用電流互感器,如所示。用電流檢測(cè)互感器減小損耗當(dāng)然,為了減少繞組電阻,我們把原邊的匝數(shù)取為1匝,同時(shí)為了使電流降到一個(gè)比較低的水平,副邊匝數(shù)應(yīng)該比較多。如果副邊匝數(shù)為N,由歐姆定律可得(10/N)R=1V,在電阻中消耗的功率為P=(1V)^2/R。
基區(qū)很薄,而發(fā)射區(qū)較厚,雜質(zhì)濃度大,PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴,其移動(dòng)方向與電流方向一致,故發(fā)射極箭頭向里;NPN型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是自由電子,其移動(dòng)方向與電流方向相反,故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極,分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。NPN型三極管在制造三極管時(shí),有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時(shí)基區(qū)做得很薄,而且,要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量,這樣,一旦接通電源后,由于發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)及基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過(guò)發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散,但因前者的濃度基大于后者,所以發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發(fā)射極電流子。