商鋪名稱：深圳市立年電子科技有限公司
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氮化鎵創(chuàng)新
Qorvo不斷提供最高性能和可靠性，以滿足客戶的需求。 采用高性能GaN
技術(shù)支持從DC到Ka波段的產(chǎn)品，Qorvo通過提供新產(chǎn)品繼續(xù)建立強(qiáng)大的GaAs傳統(tǒng)
和戰(zhàn)略代工服務(wù)，努力滿足我們合作伙伴苛刻的系統(tǒng)要求。 有了Qorvo，你不僅得到了
世界一流的電氣性能，我們的合作伙伴也受益于具有業(yè)界領(lǐng)先的GaN可靠性的“值得信賴”的供應(yīng)商。 Qorvo也是
唯一一家達(dá)到制造準(zhǔn)備水平（MRL）的GaN供應(yīng)商9.尋找能夠?qū)⒛南敕◤母拍钷D(zhuǎn)變?yōu)楣⿷?yīng)商的供應(yīng)商
生產(chǎn)？ Qorvo正在擴(kuò)大可能性。
GaN優(yōu)勢
Qorvo GaN為SWaP-C分析提供了改進(jìn)。 憑借出色的功率，效率和增益，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在具有靈活性
進(jìn)行以前不可能的設(shè)計(jì)交易。 更高的功率密度導(dǎo)致更小的區(qū)域中更高的功率容量。減少
結(jié)合可以提高效率。 更高的電壓操作導(dǎo)致更低的系統(tǒng)損耗。 改進(jìn)的功率處理支持高
電源開關(guān)和高度可靠的LNA。 Qorvo在更高的結(jié)溫下具有領(lǐng)先的GaN可靠性，使用戶對此充滿信心
長期運(yùn)作。 無論動力是增加功率，減小電路板面積還是提高效率，Qorvo GaN都能實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
同時降低整體系統(tǒng)成本
關(guān)鍵Qorvo GaN屬性：
現(xiàn)場16900臺設(shè)備的設(shè)備小時數(shù)> 6500萬，小于
每百萬小時0.013％的故障
高結(jié)溫時的可靠性，平均故障時間（MTTF）
200度（C）時大于10 7（1000萬）至10 9（10億）小時
225度（C）大于10 6（100萬）至10 8（1億）小時
通過Ka波段支持DC的生產(chǎn)技術(shù)
出色的噪音系數(shù) - 與pHEMT相當(dāng)
對ESD和RF輸入信號具有高度魯棒性
SiC基板，具有出色的熱管理性能
高功率密度（改進(jìn)的SWaP）
高功率附加效率（改進(jìn)的SWaP）
GaN鑄造工藝
作為經(jīng)國防部認(rèn)可的“微電子可信賴源”，Qorvo提供各種GaN技術(shù)以優(yōu)化解決方案。認(rèn)證
包括鑄造，后處理，包裝/組裝和測試服務(wù)。 我們的代工服務(wù)部門提供的支持
補(bǔ)充了Qorvo的高頻標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合。 Qorvo服務(wù)以滿足自定義要求為中心
混合產(chǎn)品和工藝解決方案。
QGaN25：
技術(shù)：SiC上0.25μm的GaN
漏極偏置（Vd）：高達(dá)40V
工作頻率：DC-18 GHz
PAE：10 GHz時> 60％
功率密度：10 GHz時為6W / mm
可靠性：20℃時> 10M小時
和40V（3-temp DC MTTF w / failure
定義為Idmax降低10％）
QGaN25HV：
技術(shù)：SiC上0.25μm的GaN
漏極偏壓（Vd）：高達(dá)48V
工作頻率：DC-12 GHz
PAE：3.5 GHz時> 78％
功率密度：3.5 GHz時6.5W / mm
可靠性：20℃時> 10M小時
和48V（3-temp DC MTTF w / failure
定義為Idmax降低10％）
QGaN15：
技術(shù)：SiC上0.15μm的GaN
漏極偏壓（Vd）：高達(dá)28V
工作頻率：DC-40 GHz
PAE：30 GHz時> 50％
功率密度：30 GHz時4.2W / mm
可靠性：20℃時> 10M小時
28V（DC MTTF w /故障定義為
Idmax降低10％）
QGaN50：
技術(shù)：SiC上0.50μm的GaN
漏極偏壓（Vd）：高達(dá)65V
工作頻率：DC-8 GHz
PAE：3.5 GHz時> 78％
功率密度：3.5 GHz時為9W / mm
可靠性：20℃時> 10M小時
65V（DC MTTF w /故障定義為
Idmax降低10％）
GaN封裝解決方案
Qorvo包裝解決方案專注于在管理散熱的同時化性能
行為和成本。 我們的高性能GaN產(chǎn)品可以在各種Cu-中找到
基于包裝的優(yōu)質(zhì)傳熱。 取決于功能和操作
條件方面，Qorvo提供螺栓固定封裝，適用于小型表面貼裝封裝
氣腔或包覆成型格式。
GaN標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合
Qorvo在高性能砷化鎵（GaAs）領(lǐng)域的成熟技術(shù)已經(jīng)擴(kuò)展到氮化鎵（GaN）。使用GaN
Qorvo被證明是支持下一代和商業(yè)應(yīng)用的進(jìn)化技術(shù)，正在引領(lǐng)潮流
各種頻率和功能的世界級產(chǎn)品。隨著基于GaN的放大器和開關(guān)的不斷增加的產(chǎn)品組合
憑借我們不斷擴(kuò)展的高性能晶體管產(chǎn)品系列，Qorvo成為滿足您GaN需求的首選解決方案供應(yīng)商。
Qorvo對工藝和產(chǎn)品進(jìn)行了廣泛的測試和分析，以提供最高的性能和可靠性
提供卓越的大批量生產(chǎn)能力。同樣重要的是測量和預(yù)測熱行為。 Qorvo模擬
使用有限元分析的FET通道溫度然后驗(yàn)證這些模型對抗FET的微拉曼測量
提供準(zhǔn)確的長期壽命可靠性數(shù)據(jù)。
詳細(xì)產(chǎn)品如下
TGF2977-SM TGS2354-SM TGA2611-SM T2G6003028-FL/-FS
TQP0102 TGS2355-SM TGA2227-SM QPD1004
TGF2965-SM TGS2352-2-SM TGA2612-SM TGF2955
TGF2952 TGS2353-2-SM TGA2627-SM T1G4004532-FL/-FS
TGF2023-2-01 QPA2237 TGA2598-SM T2G4005528-FS
QPD1010 TGA2237-SM TGA2590-CP TGF2023-2-10
QPD1011 TGA2976-SM QPA1013D TGF2956
T2G6000528-Q3 TGA2216-SM TGA2963-CP TGF2957
TGF3015-SM QPA1003P TGA3042-SM QPD1015/L
T1G6001032-SM TGA2597-SM TGA2586-FL TGF2929-HM
TGF2023-2-02 TGA2578-CP QPA1010 TGF2929-FL/-FS
QPD1022 TGA2214-CP QPA1011 TGF2023-2-20
QPD1014 TGA2573-2 TGA2238-CP T1G4012036-FL/-FS
QPD1014 TGA2576-2-FL TGM2635-CP TGF2819-FL/-FS
TGF2953 TGA2975-SM TGA2624-SM QPD1008/L
QPD1000 TGA2830-SM TGA2624-CP QPD1013
QPD1009 TGA2583-SM TGA2622-SM T1G4020036-FL/-FS
T2G6001528-SG TGA2585-SM TGA2622-CP T1G2028536-FL/-FS
T2G6001528-Q3 QPA1014 TGA2312-FL QPD1017
TGF2023-2-05 TGA2818-SM TGA2625-CP QPD1003
TGF2978-SM QPA1000 TGA2623-CP QPD1019
TQP0103 TGA2817-SM TGA2958-SM QPD1016
TGF3021-SM TGA2813-CP TGA2218-SM TGA2594-HM
TGF3020-SM TGA2814-SM TGA2219-CP TGA2595-CP
TGF2979-SM TGA2814-CP TGA2239-CP TGA2307-SM
TGF2954 TGA2813-SM TGA4548-SM TGA2599-SM
T2G4003532-FL/-FS TQP0104
