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貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質(zhì)說(shuō)明。

    貼片電容M檔與Z檔的區(qū)別首先我們要知道M與Z的意思，其中M代表±20%的容量誤差，Z代表正80%負(fù)20%的容量誤差。

  例：0805 10uf電容，如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動(dòng)，Z檔則為8uf-18uf之間浮動(dòng)。

   貼片電容簡(jiǎn)介：

  全稱：多層（積層、疊層）片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容、片容，英文縮寫：MLCC

  主要規(guī)格尺寸，按英制標(biāo)準(zhǔn)分為：02010402060308051206以及大規(guī)格的1210180818122220222530123035等。

  容量范圍：0.5pF100uF其中，一般認(rèn)為容量在1uF以上為大容量電容。

  額定電壓：從4V4KVDC當(dāng)額定電壓在100V及以上時(shí)，即歸納為中高壓產(chǎn)品。

  片式電容的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)資料存在對(duì)應(yīng)關(guān)系，主要分為三大類別。

   貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要請(qǐng)?zhí)崆邦A(yù)訂。

  貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容器，其溫度系數(shù)為±30ppm/℃，電容量非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化，主要應(yīng)用于 高頻電子線路，如振蕩、計(jì)時(shí)電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時(shí)，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

 以X7R為II類介質(zhì)的中頻電容器，其溫度系數(shù)為±15，電容量相對(duì)穩(wěn)定，適用于各種旁路、耦合、濾波電路等，其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下，可提供J檔(±5)精度的產(chǎn)品。

 不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

  以Y5V為III類介質(zhì)的低頻電容器，其溫度系數(shù)為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產(chǎn)品。

   貼片電容介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí),材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間,將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降.

  任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度.類似地,介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過(guò)程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試(一般為其工作電壓的2.5倍)時(shí),不發(fā)生擊穿失效. 介質(zhì)強(qiáng)度

  正確選擇一顆貼片電容時(shí)，除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對(duì)這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的要求。貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義：貼片電容的命名，國(guó)內(nèi)和國(guó)外的產(chǎn)家有一此區(qū)別但所包含的參數(shù)是一樣的。

   貼片鉭電容分為A B C D V P六種大小壽命都是一樣的，如各大企業(yè)按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)技術(shù)條件規(guī)定的使用條件下90％的產(chǎn)品能可靠地運(yùn)行20～30年之久，但實(shí)際情況是，同樣的電容器由于實(shí)際的使用條件不同，其實(shí)際的使用壽命相差巨大，為此有必要對(duì)此作一些分析。

  貼片鉭電容壽命與工作環(huán)境溫度有關(guān)，沒(méi)看規(guī)格都有規(guī)定產(chǎn)品工作溫度范圍，超出范圍就會(huì)大大的影響壽命，例如："-40／A"，這就表示產(chǎn)品接受最環(huán)境溫度是-40℃。超出-40℃壽命減的巨快。壽命影響還與連續(xù)工作時(shí)間有關(guān)，例如此款產(chǎn)品最環(huán)境溫度為：lh平均最溫度為60℃，24h平均最溫度為40℃，年平均最溫度為30℃。

  這是因?yàn)樵诘蜏叵拢�電容器�?nèi)部浸漬劑的粘度增大，內(nèi)部電壓降低，電容器耐電能力下降。在低于其允許最低溫度的溫度下投入運(yùn)行，很可能會(huì)在電容器內(nèi)部引發(fā)局部放電，從而加速其電老化而降低電容器的實(shí)際使用壽命。而另一方面，如果電容器長(zhǎng)期在高于其最高允許的溫度下運(yùn)行，又會(huì)加速電容器的熱老化。因而一方面要選用其溫度類別與實(shí)際的運(yùn)行環(huán)境溫度相適應(yīng)的電容器，另一方面在電容器的安裝使用中要特別注意電容器在實(shí)際使用工況下的通風(fēng)、散熱和輻射問(wèn)題，使電容器在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量能及時(shí)散發(fā)出去，千方百計(jì)在高溫條件下降低電容器內(nèi)部的介質(zhì)溫度，以達(dá)到延長(zhǎng)電容器實(shí)際使用壽命的目的。

   相信很多人被一個(gè)問(wèn)題困擾著，那就是貼片電容容量不好識(shí)別，特別是個(gè)人使用有時(shí)候想換個(gè)電容都不知道要怎么換，為何貼片電容上面沒(méi)有印字識(shí)別呢？首先貼片電容不同于電阻，電容材質(zhì)是陶瓷產(chǎn)品，在生產(chǎn)中無(wú)法絲印字體上去，一般標(biāo)識(shí)都貼在封裝上面，所以大家在購(gòu)買時(shí)要看好盤裝上的標(biāo)簽。如果您不懂貼片電容轉(zhuǎn)換法可參考我司另一篇新聞:貼片電容單位換算法  

  如果您需要替換電路中的電容卻不知道它的容量，那只能使用萬(wàn)用表或者電橋測(cè)試出它的容量了。如果您不會(huì)測(cè)試可參數(shù)我司電容測(cè)試法新聞。或者來(lái)電咨詢我們也可。

片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題，特別是涉及到可靠性方面的質(zhì)量問(wèn)題，是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多，出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問(wèn)題，應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問(wèn)題。

當(dāng)然，客觀上片狀電容存在一定比率的失效率，針對(duì)與片狀電容有關(guān)的質(zhì)量問(wèn)題，既要承認(rèn)陶瓷片狀電容存在一定脆性，又要認(rèn)可通過(guò)現(xiàn)代貼片、組裝技術(shù)能夠最限度減少對(duì)陶瓷片狀電容的應(yīng)力沖擊。研究、分析片狀電容出現(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題，找到問(wèn)題產(chǎn)生的根源，對(duì)于現(xiàn)在大量使用于電子整機(jī)的片式電容而言，防范、杜絕可靠性問(wèn)題的出現(xiàn)，具有很現(xiàn)實(shí)的意義。

貼片電容不宜手工焊接，但如果條件不具備一定要用手工焊接，必須委任可靠的操作員；先把電容和基板預(yù)熱到150℃，用不大于20W和頭不超過(guò)3mm的電烙，焊接溫度不超過(guò)240℃，焊接時(shí)間不超過(guò)5S進(jìn)行，要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體，因?yàn)闀?huì)使瓷體局部高溫而破裂。