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FF800R17KE3雙向可控硅模塊英飛凌igbt單管晶閘管模組全新現貨
FF800R17KE3雙向可控硅模塊英飛凌igbt單管晶閘管模組全新現貨
產品價格:¥160.00(人民幣)
  • 規格:FF800R17KE3
  • 發貨地:江蘇蘇州
  • 品牌:
  • 最小起訂量:1
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    商品詳情
      產品參數
      型號FF800R17KE3
      批號22
      封裝標準
      材質
      輸出電流800A
      輸入電壓1700V
      功率詳詢
      用途電源模塊
      加工定制
      工作環境室內式
      數量999
      品牌英飛凌

      上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門康、西門子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊,咨詢熱線:。

      FF800R17KE3?雙向可控硅模塊?英飛凌 igbt單管 晶閘管模組全新現貨

      英飛凌600V系列:

      1 IGBT額定電壓的選擇

      三相380V輸入電壓經過整流和濾波后,直流電壓的值:

      在開關工作的條件下,fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據IGBT規格的電壓等級,選擇1 電壓等級的IGBT。

      2 IGBT額定電流的選擇

      以30kW器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內,承受1.5倍的過流,擇負載電流約為 ,建議選擇電流等級的IGBT。

      3 IGBT開關參數的選擇

      的開關頻率一般小于10 kH Z,而在實際工作的過程中,fGBT的通態損耗所占比重比較大,建議選擇低通態型IGBT,以30 kW ,逆變頻率小于10kH z的變頻器為例,選擇IGBT的開關參數見表1。

      4 影響IGBT可靠性因素

      1)柵電壓。

      IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,用到20V, 而棚電壓與柵極Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數,保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也咯小。

      在橋式電路和大功率應用情況下,為了避免干擾,在IGBT關斷時,柵極加負電壓,一般在-5- 15V,保證IGBT的關斷,避免Miller效應影響。

      2)Miller效應。

      為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵驅動電路中采用改進措施:(1)開通和關斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關斷;(2)柵源間加c,對Miller效應產生的電壓進行能量泄放;(3)關斷時加負柵壓。在實際設計中,采用三者合理組合,對改進Mille r效應的效果更佳。

      5 結束語

      (1)IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關器件,也是逆變器中主要工作器件,合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提,同時,要根據三相逆變電路結構的特點,選擇低通態型IGBT為佳。

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