.jpg "IXYS電子模塊IXFN180N10MOSFET180Amps100V0.008Rds")
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| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | IXFN180N10 | ||
| 類型 | 2個N溝道 | ||
| 漏源電壓(Vdss) | 53 | ||
| 連續漏極電流(Id) | 28 | ||
| 功率(Pd) | 68 | ||
| 導通電阻 | 360 | ||
| 閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 8 | ||
| 柵極電荷(Qg@Vgs) | 330 | ||
| 輸入電容(Ciss@Vds) | 9pF@15V | ||
| 反向傳輸電容(Crss@Vds) | 0.2pF@50V | ||
| 工作溫度 | 23 | ||
| 封裝/規格 | TO-247 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 認證機構 | 3c | ||
| 最小包裝量 | 1 | ||
| 封裝 | 標準封裝 | ||
| 批號 | 21 | ||
| 數量 | 300 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風格 | ChassisMount | ||
| 封裝/箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數量 | 1Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 100V | ||
| Id-連續漏極電流 | 180A | ||
| RdsOn-漏源導通電阻 | 8mOhms | ||
| Vgs-柵極-源極電壓 | 20V | ||
| 最小工作溫度 | -55C | ||
| 最大工作溫度 | 150C | ||
| Pd-功率耗散 | 600W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 9.6mm | ||
| 長度 | 38.23mm | ||
| 系列 | IXFN180N10 | ||
| 晶體管類型 | 1N-Channel | ||
| 寬度 | 25.42mm | ||
| 下降時間 | 65ns | ||
| 上升時間 | 90ns | ||
| 典型關閉延遲時間 | 140ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 50ns | ||
| 單位重量 | 30g | ||
| 品牌 | IXYS | ||
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