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型紋的形成和擴(kuò)展大致與拉應(yīng)力方向垂直。這個(gè)導(dǎo)致應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂的應(yīng)力值,要比沒(méi)有腐蝕介質(zhì)存在時(shí)材料斷裂所需要的應(yīng)力值小得多。在微觀上,穿過(guò)晶粒的裂紋稱(chēng)為穿晶裂紋,而沿晶界擴(kuò)圖的裂紋稱(chēng)為沿晶裂紋,當(dāng)應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂擴(kuò)展至其一深度時(shí)(此處,承受載荷的材料斷面上的應(yīng)力達(dá)到它在空氣中的斷裂應(yīng)力),則材料就按正常的裂紋(在韌性材料中,通常是通過(guò)顯微缺陷的聚合)而斷開(kāi)。由于應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂而失效的零件的斷面,將包含有應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂的特征區(qū)域以及與已微缺陷的聚合相聯(lián)系的“韌窩”區(qū)域。
XF9D251 OsiSense XF9-內(nèi)部 超程-手動(dòng)復(fù)位-4P-50 / 25A-2 / 3P圖
XF9D651 OsiSense XF9-內(nèi)部 超程-手動(dòng)復(fù)位-4P-130 / 65A-2 / 3P圖
XF9F1151 OsiSense XF9-內(nèi)部 超程-手動(dòng)復(fù)位-3P-115A-3P圖
XF9F1152 OsiSense XF9-內(nèi)部 超程-自動(dòng)復(fù)位。-3P-115A-3P圖
XF9F1851 OsiSense XC交易-旅行
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提升應(yīng)用XCR十字限位開(kāi)關(guān)-位置控制旁路
XCKMR24SR1H29 OsiSense XCKML-內(nèi)部 的位置。-金屬桿X頭inv。-2x(2O)-取決于 -M20
XCKVR24SR1H29 OsiSense XCKML-內(nèi)部 的位置。-金屬棒X 6mm -2x(1O + 1NO)-取決于-M20
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