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全球DRAM市場95%以上掌握在前三大廠手中，臺灣華邦、旺宏等廠商，僅能在善用產能與提高獲利的前提下經營。由于競爭相對緩和，主力大廠在2017年的資本支出，竟然比2016年減少3.8%。因服務器需求高于預期，新制程轉換的過程難度也高于預期，而每臺設備所搭載的DRAM也相應提高，因此2018年的企業投資仍高于往年。
2018年起，三星量產1ynm(10nm中段級技術)，由于難度比1xnm(10nm級后段技術)高出不少，因此在制程轉換上比原先預計的要長。SK海力士也將從2017年下半開始前進1xnm的制程，2018年下半期起比重便顯著增加，也進入了1ynm等級的工程技術。
在這種背景下，三星曾明確的表達擴大投資的計畫構想，而SK海力士原先計劃在2019年啟動的增產計畫，也提前到2018年下半。
在手機市場上，Mobile DRAM受限于手機市場飽和之苦，但即將來臨的5G商機、手機游戲、AR/VR、4K影像、智慧城市等領域都將帶來龐大的機會。手機搭載DRAM平均容量從3GB起跳，2019年甚至上看10GB；2018年出貨的iPhone Xs已使用每層4GB的雙層DRAM架構。
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相較于DRAM的積極投資，韓國雙雄在NAND的投資反而保守。關鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進展。
NAND同樣必須以良率在市場上競爭，加以十分耗電，因此小面積、大容量便成為競爭關鍵。2D的NAND在10xnm階段便遭遇技術壓力，因此三星、東芝(Toshiba)都向3D發展。相較于2017年，三星2018年的資本支出會少一點點，但比起往年仍是大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應市場的需求。
目前三星以64層NAND為主力，2018年下半推進到96層，2019年初便會進展到128層。另外，英特爾(Intel)與美光也在2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。
為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆疊技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產技術已經完全克服，而64層的產品在總產量中的比重也將持續提高，借以取得更好的競爭優勢。
