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KG AUTO帶燈急停開關KGEX系列
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常見的有3位和4位的。很顯然,3位數的計數器可以顯示到999,4位數的可以顯示到9999。中文名計數器釋義運算的邏輯電路功能測量、計數和控制指標計數器的位數目錄1基本信息2作用3種類4應用?軟件簡介?要求基本信息編輯狹義的計數器是指一些常用計時器,例如體育比賽中測試時間的計時器等,但本詞條所要介紹的并不是這種計時器,要介紹的是應用更為廣泛的時序邏輯電路中的計數器。作用編輯在數字電子技術中應用的多的時序邏輯電路。計數器不僅計數器計數器能用于對時鐘脈沖計數,還可以用于分頻、定時、產生節拍脈沖和脈沖序列以及進行數字運算等。但是并無法顯示計算結果,一般都是要通過外接LCD或LED屏才能顯示。種類編輯如果按照計數器中的觸發器是否同時翻轉分類。通道間全隔離,隔離電壓大于400V◇輸出規格8路報警輸出、2路485輸出,其他可定制配電:12路配電,4組24VDC輸出,輸出電流50mA/組12路可組態繼電器觸點輸出,觸點容量為3A、250VAC(阻性負載)默認為常開觸點多4路模擬量變送輸出,4~20mADC,負載電阻小于600Ω◇顯示器144*144彩色液晶顯示屏,帶背光,寬視角◇基本誤差±0.2%F·S◇補償運算蒸汽:根據IFC67公式計算蒸汽密度補償蒸汽的質量流量一般氣體:溫度、壓力補償測量標準體積流量天然氣:溫度、壓力補償測量標準體積流量液體:溫度補償測量標準體積流量或質量流量蒸汽:壓力0.1~4.5MPa溫度100~500℃密度0.1~100Kg/m3比焓2508~3224Kj/Kg一般氣體:壓力0~60MPa溫度-100~500℃液體:溫度-100~500℃◇累積范圍0~99999999◇通訊、打印通訊接口:RS232C或RS485波特率:19200打印接口:RS232C串口微型打印機10MEthernet標準RJ45接口◇記錄時間記錄間隔:240秒可選記錄長度:36小時/筆(記錄間隔1秒)~360天/筆(記錄間隔4分)記錄間隔1秒2秒5秒10秒15秒1分鐘2分鐘4分鐘記錄長度72小時6天15天30天45天180天360750天◇數據備份和轉存2G~4G優盤可選(USB接口)◇熱電偶冷端補償誤差±1℃◇斷電保護內置FLASH存儲器。
KG AUTO蜂鳴器KGB系列
KGB-ND2B,KGB-NV2B,
KGB-HD2B,KGB-HV2B
KGB-CD2B,KGB-CV2B
KGB-JD2B,KGB-JV2B
KGB-LD2B,KGB-LV2B
KG AUTO轉換開關KGT系列
KGT-N2M1D1R,KGT-N2M1D1Y,KGT-N2M1D1G,KGT-N2M1D1A,KGT-N2M1D1W
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KG AUTO轉換開關KGT系列
KGT-N2M1D3R,KGT-N2M1D3Y,KGT-N2M1D3G,KGT-N2M1D3A,KGT-N2M1D3W
KGT-N2M2D3R,KGT-N2M2D3Y,KGT-N2M2D3G,KGT-N2M2D3A,KGT-N2M2D3W
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因此電壓互感器的容量很小,一般都只有幾伏安、幾十伏安,也不超過一千伏安。詞條介紹了其基本結構、工作原理、主要類型、接線方式、注意事項、異常與處理、以及鐵磁諧振等。中文名電壓互感器外文名Potentialtransformer簡稱PT作用變換線路上的電壓解釋帶鐵心的變壓器組成主要由二次線圈、鐵心和絕緣所屬領域電力、能源涉及學科電學、電磁學目錄1基本結構2工作原理3主要類型4銘牌標志5接線方式6注意事項7異常與處理?常見異常?處理方法8鐵磁諧振?主要特點?消除辦法基本結構編輯電壓互感器的基本結構和變壓器很相似,它也有兩個繞組,一個叫一次繞組,一個叫二次繞組。兩個繞組都裝在或繞在鐵心上。兩個繞組之間以及繞組與鐵心之間都有絕緣。凸出式插拔式結構,嵌入式插拔結構,導軌式結構等,并有透明的塑料外罩(導軌式為全封閉式),用薄碼進行整定。當被測量的交流電壓經隔離變壓器降壓后得到與被測電壓成正比的電壓Ui,經整定后進行整流,整流后脈沖電壓經濾波器濾波,得到與Ui成正比的直流電壓Uo,在電平檢測中Uo與直流參考電壓Ue進行比較,若直流電壓Uo高于參考電壓,電平檢測器輸出正信號,驅動出口繼電器,則本繼電器處于動作狀態。反之,不論是過電壓繼電器或是低電壓繼電器,若直流電壓Uo低于參考電壓Ue,電平檢測器輸出負信號,本繼電器處于不動作狀態。2.主要技術參數輔助電源:AC/DC85-265V過載能力:交流回路允許長期接通1.2倍額定值。
KG AUTO轉換開關KGT系列
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KG AUTO轉換開關KGT系列
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KG AUTO轉換開關KGT系列完全關斷同樣開關Q1的時間大約是完全導通時間的48倍。當外部負載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時,快速導通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復位門檻電壓從而導致復位出現,因此在圖2基礎上再增加一RC網絡以減緩其開通過程,合適地選擇R、C可使負載連接過程延續到幾個MAX668開關工作周期,使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長,同時也延長了關斷時間。因此需要在電阻上并聯一肖特基二極管,以加速當負載過載時關閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導通電阻值較大且在其兩端產生較大的壓降(特別是低輸出電壓應用場合或負載離電源的距離較遠時)。或可采用高速可控硅(晶閘管)。關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上[2]。
KGT-H2R1D3R,KGT-H2R1D3Y,KGT-H2R1D3G,KGT-H2R1D3A,KGT-H2R1D3W
KGT-H2R2D3R,KGT-H2R2D3Y,KGT-H2R2D3G,KGT-H2R2D3A,KGT-H2R2D3W
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