晶圓減薄作用: 1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄,改善芯片散熱效果。 2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。 常規工藝: 減薄/拋光到80-100um 粗糙度: 5-20nm 平整度: ±3um
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