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晶圓減薄晶圓拋光晶圓背拋 Wafer Grinding

發(fā)布者：haoweijingmi 發(fā)布時間：2021-07-27 09:16:24 訪問次數(shù)：477

晶圓減薄作用:

1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄，改善芯片散熱效果。

2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

常規(guī)工藝:

減薄/拋光到80-100um

粗糙度: 5-20nm

平整度: ±3um

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