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    KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 制備 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層
    發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時(shí)間:2021-03-11 15:49:17  訪問(wèn)次數(shù):199

    某科研機(jī)構(gòu)在 IFBA 芯塊 ZrB涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助鍍膜設(shè)備濺射沉積 ZrB涂層.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

    射頻離子源型號(hào)

    RFICP380

    Discharge 陽(yáng)極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長(zhǎng)度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

     

    研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測(cè)定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結(jié)構(gòu)、成分、附著力以及沉積速率等性能參數(shù), 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉(zhuǎn)鼓轉(zhuǎn)速對(duì)ZrB 涂層沉積率和附著力的影響.

     

    KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

     

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