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    KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射制備 LaF3 薄膜
    發布者:bdqysh  發布時間:2020-12-25 16:08:17  訪問次數:79

    因此某光學薄膜制造商采用20cm 的濺射源為 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 輔助濺射制備 LaF3 薄膜

     

    伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

    離子源型號

    RFICP220

    Discharge

    RFICP 射頻

    離子束流

    >800 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    20 cm Φ

    離子束

    聚焦平行散射

    流量

    10-40 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    30 cm

    直徑

    41 cm

    中和器

    LFN 2000

    可選燈絲中和器可變長度的增量

    KRI 射頻離子源 RFICP 220

    運行結果:

    1. 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 鍍制的 LaF3 薄膜折射率更高且不存在折射率的梯度分布

    2. 制備的 LaF3薄膜的環境穩定性更高

    3. 離子源濺射制備的減反膜透過率為99.2%反射率為 0.1%表現了較好的光學特性

     

    伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質譜儀真空計美國 KRI 考夫曼離子源美國HVA 真空閥門美國 inTEST 高低溫沖擊測試機美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

     

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