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    Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 用于制作閃耀羅蘭光柵
    發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時(shí)間:2020-12-23 16:03:37  訪問次數(shù):127

    長春某研究所在制作閃耀羅蘭光柵的研究中采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE,制造出的閃耀羅蘭光柵比其他工藝制造的光柵產(chǎn)品整體衍射效率高25%, 實(shí)現(xiàn)高衍射效率閃耀羅蘭光柵制作且工藝可控、穩(wěn)定所制作的閃耀羅蘭光柵衍射效率高于市場同類產(chǎn)品.

     

    Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 技術(shù)參數(shù):

    基板尺寸

    < Ф8 X 1wfr

    樣品臺(tái)

    直接冷卻(水冷)0-90 度旋轉(zhuǎn)

    離子源

    16cm 考夫曼離子源

    均勻性

    ±5% for 4”Ф

    硅片刻蝕率

    20 nm/min

    溫度

    <100

     

    Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

     

    伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術(shù)參數(shù):

     離子源型號(hào)

     離子源 KDC 160 

    Discharge

    DC 熱離子

    離子束流

    >650 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    柵極直徑

    16 cm Φ

    離子束

    聚焦平行散射

    流量

    2-30 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    中和器

    燈絲

     

    Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

     

    若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

    上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
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