（臨沂金剛砂）絮凝劑業務（臨沂金剛砂）
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。
催化氧化反應方程式：CxHy+(x+1/4y)O2xCO2+y/2H2O+Q蓄熱室和催化床層由12個區室組成，中間部分填充蜂窩式陶瓷結構蓄熱塊，達到超過95%的熱回收效率，見。裝置廢氣通過放熱的蓄熱室吸熱，于燃燒室內完成催化氧化后再經過蓄熱室放熱加熱蓄熱體。此外，1區室進行吹除與1區室停滯。吹除室為進氣與排氣蓄熱區室切換間的中間區室，將進氣時殘留于蓄熱室內未反應尾氣再抽回至反應器入口，停滯區室則為待命狀態。
這種顆粒物本身既是一種污染物，又是重金屬、多環芳烴等有毒物質的載體，這種重金屬。又名，是一種物質，通過接觸或呼吸進入人體，并蓄積在人體內，特別是腦部組織內，使中樞破壞而失常，坐立不安，痛苦萬分。在自然中極少數以純金屬的單質狀態存在，是的液體金屬，常以蒸氣的形式引起中毒。蒸氣雖然很危險，但是它絕不是毒的形態，擁有致命的毒性是的化合物－－－甲基，它對人體所致的腦損傷是不可逆的，迄今為止尚無有效的療法，往往導致死亡或遺患終身。
專項是《中長期科學和技術發展規劃綱要（2622年）》確定的十六個重大專項之一，旨在集中攻克一批節能減排迫切需要解決的水污染關鍵技術、構建我國流域水體節能減排與治理技術體系和水環境管理技術體系，為重點流域污染物減排、水質改善、飲用水安全保障提供強有力科技支撐。水專項實施控源減排、減負修復、綜合調控三步走戰略。作為新成立以來投入的環保科研項目，水專項的三個階段投入資金預算約356.5億元，其中，財政投入資金預算約141.6億元。