（石嘴山石榴石濾料）價格表（石嘴山金剛砂）
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用廣泛、經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
中文名 碳化硅 英文名 SILICON CARBIDE 別 稱 硅化碳; 一碳化硅 [1] 化學式 SiC 分子量 40.1 CAS登錄號 409-21-2 EINECS登錄號 206-991-8 熔 點 2700 °C（升華） 水溶性 不溶 密 度 3.2g/cm3 外 觀 黃色至綠色，至藍色至黑色晶體，取決于其純度。 應 用 用于磨料、耐磨劑、磨具、高級耐火材料，精細陶瓷。 危險性符號 Xi 危險性描述 36/37/38 [2]
目錄
1 發展歷史
2 物質品種
3 理化性質
物質特性
物質結構
4 制作工藝
5 產能及需求
? 產能情況
? 市場需求
6 產地
7 品質規格
8 制品
9 應用領域
磨料磨具
化工
“三耐”材料
有色金屬
鋼鐵
冶金選礦
建材陶瓷砂輪工業
節能
珠寶
發展歷史
碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發現的一種碳化物，當時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。
關于碳化硅的幾個事件
1905年 次在隕石中發現碳化硅。
1907年 只碳化硅晶體發光二極管誕生。
1955年 理論和技術上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。
1958年 在波士頓召開次世界碳化硅會議進行學術交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前進行研究。到1978年采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產線，供應商開始提供商品化的碳化硅基。
物質品種
碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質合金、鈦合金和光學玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 [4]
理化性質
物質特性
碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。
（石嘴山石榴石濾料）價格表（石嘴山金剛砂）垂直結構可以有效解決正裝結構LED的兩個問題，垂直結構GaN基LED采用高熱導率的襯底（SGe以及Cu等襯底）取代藍寶石襯底，在很大程度上提高了散熱效率；垂直結構的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側，通過圖形化的n電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，橫向流動的電流極少，可以避免正裝結構的電流擁擠問題，提高發光效率，同時也解決了P極的遮光問題，提升LED的發光面積。垂直結構LED的制作方法GaN基垂直結構LED工藝與正裝結構LED工藝的差異在于，垂直結構LED需要引入襯底轉移技術。
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排煙溫度偏高、造成了鍋爐效率下降、電除塵器效率下降、脫硫耗水量增加等結果。采用低溫省煤器和低溫電除塵器技術是解決此問題的一種有效新方法。其原理如下：煙氣熱量回收裝置分為串聯的兩級，級布置在除塵器進口，將煙氣溫度從123℃冷卻到15℃。第二級布置在吸收塔進口，將煙氣溫度從約11℃冷卻到約96℃。采用主凝結水與煙氣通過換熱器進行熱交換，其流程為從六號低加出口的主凝結水引出一路凝結水經加壓后依次通過第二級、級煙氣回收裝置后回到七號五號低加入口處。