應用原理1.氫氧化物沉淀原理化學沉淀法主要是指在電鍍廢水中加入適量的苛性鈉、氧化鈣等物質，在堿性條件下將電鍍廢水中的重金屬離子與堿性物質的氫氧根通過化學反應形成難溶于水的氫氧化物，從而通過這種方式實現處理電鍍廢水的目的。在實際生產過程中，可以通過合理地投加氧化鈣、苛性鈉、液堿可有效地改善電鍍廢水的pH值水平，將電鍍集控區的復雜電鍍廢水的鉻離子、銅離子、鎳離子進行去除。運營試驗測定結果表明，使用化學沉淀法所進行的沉淀可去除電鍍廢水中98.77%的鉻離子、99.83%的鎳離子、99.88%的銅離子。硫化物沉淀原理硫化物化學沉淀法主要是指在電鍍廢水中某些弱酸或者弱堿的情況下，在電鍍廢水中添加適量的硫化物，如過或者，促使重金屬離子產生相應的硫化物化學反應，生產沉淀物質。化學反應過程中重點注意兩個細節問題：一是硫化物沉淀的顆粒直徑通常較小，沉淀過濾時，需要在電鍍廢水混合溶液中添加足量的絮凝劑，有效加強沉淀及過濾效果；二是在進行硫化物的投放時需要對硫化物的量進行嚴格控制，避免因投放過多硫化物導致重金屬離子復溶于電鍍廢水中。鐵氧體沉淀原理鐵氧體化學沉淀法主要是指在電鍍廢水中添加適量的鐵鹽，與此同時，適當調節pH值，并將電鍍廢水的溫度控制在合理的范圍。在鐵氧體化學沉淀反應條件下，重金屬離子會與鐵鹽物質產生化學反應，形成氧化沉淀。當電鍍廢水混合溶液與鐵鹽物質完成化學反應之后，通過沉淀系統可以對所得混合物進行沉淀，從而實現沉淀污泥與混合液分離，達到去除各類電鍍廢水混合溶液中重金屬離子，滿足相關規范標準的要求。鋇鹽沉淀原理鋇鹽化學沉淀法主要適用于去除電鍍廢水中的鉻離子。
高溫煅燒后的爐料從外到內分別是：未反應料(在爐中起保溫作用)、氧碳化硅羼(半反應料，主要成分是C與SiO。)、粘結物層(是粘結很緊的物料層，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%～90%SiC，而且是立方SiC即β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽)、二級品SiC層(主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC即口一SiC，但結晶體較小、很脆弱，不能作為磨料)、一級品SiC層(SiC含量<96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大結晶體)、爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、粗碎、細碎、化學處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經過水選過程；要做成碳化硅制品還要經過成型與結燒的過程。
產能及需求
產能情況
有碳化硅冶煉企業200多家，年生產能力220多萬噸（其中：綠碳化硅塊120多萬噸，黑碳化硅塊約100萬噸）。冶煉變壓器功率大多為6300~12500kVA，冶煉變壓器為32000kVA。加工制砂、微粉生產企業300多家，年生產能力200多萬噸。2012年，碳化硅產能利用率不足45%。約三分之一的冶煉企業有加工制砂微粉生產線。碳化硅加工制砂微粉生產企業主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。
碳化硅冶煉生產工藝、技術裝備和單噸能耗達到世界水平。黑、綠碳化硅原塊的質量水平也屬。碳化硅與世界先進水平的差距主要集中在四個方面：一是在生產過程中很少使用大型機械設備，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅產量較低；二是在碳化硅深加工產品上，對粒度砂和微粉產品的質量管理不夠精細，產品質量的穩定性不夠；三是某些產品的性能指標與發達同類產品相比有一定差距；四是冶煉過程中一氧化碳直接排放。國外主要企業基本實現了封閉冶煉，而碳化硅冶煉幾乎全部是開放式冶煉，一氧化碳全部直排。2012年，企業開發出了封閉冶煉技術，實現了一氧化碳全部回收，但是距離全行業普及還有很長的路要走。
根據機床工業協會磨料磨具專委會碳化硅專家的數據，截至2012年底，全球碳化硅產能達260萬噸以上，產能達到1萬噸以上的有13個，占全球總產能的98%。其中碳化硅產能達到220萬噸，占全球總產能的84%。
碳化硅冶煉企業主要分布在甘肅、寧夏、青海、新疆、四川等地，約占總產能85%。
（黃山石榴石濾料）廠家照片（黃山金剛砂）