（昌平石榴石濾料）庫存量大（昌平金剛砂）
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。
冬季低溫會阻礙植物的正常生長，導致其生物量和對營養物需求的變化，使植物對氮磷去除率下降。低溫條件下，微生物的新陳代謝受到影響，數量和活性下降。脫氮微生物受低溫影響較大，有研究表明，硝化作用在4℃以下趨于停止，而硝化作用是除氮的限制步驟，故冬季人工濕地脫氮效率降低。低溫條件下，水體中溶解氧的缺乏將影響聚磷菌過量吸收磷，同時微生物原先在好氧環境下過量吸收的磷又重新釋放。如果水力停留時間縮短，過大的流速可能將系統中沉積的磷素沖出，造成整體上磷去除率的下降。1.2有機廢液處理方法：按每襯計加人.5-1.Okg的1#破乳劑并調節溶液的pH值到8-9進行預破乳。廢液經預處理后，再分別泵到相應的廢水處理池中，作進-步的處理。2廢水處理工藝4.2.1無機廢水處理工藝由于Ni+生成Ni(OH)2沉淀，剛-生成Ca3(P4)2沉淀的pH值是1.5以上；而Zn2+生成Zn(OH)：沉淀的pH值范圍是8.5-1，所以要分二步沉淀處理。2.1.1第-步化學沉淀處理工藝條件：按每襯廢水計自動加人.1-.2kg氯化鈣，.1-.2kg1#混凝劑，3-4mg1#絮凝劑，且通過pH值自控裝置，自動加人NaOH溶液到pH1.5-11.2，加藥混均后，廢水通過有蜂窩狀的加速沉淀斜管的沉淀池，加速沉淀物Ni(OH)2，Ca3(P4)的沉降[也有Zn(OH)：沉降]，上清液溢流到中和沉淀池。
在安全風量下，溶劑的體積總濃度低于.5%，風量的大小對濃度差的影響遠低于溫度的影響，選擇盡可能高的溫度有助于減少溶劑殘留，換言之，干燥氣體的濃度對殘留的影響幾乎可以忽略不計，關鍵是溫度與干燥時間，而干燥時間與生產速度和烘箱長度有關。ESO以上述分析為基礎，在安全風量條件下采用材料允許的溫度，配合逐次升高溶劑揮發工藝，實現溶劑殘留的下降，保證了干燥質量。泄漏由于烘箱不可能完全密閉，所以必須保持負壓確保廢氣不泄漏，負壓過大將導致抽吸過量的環境空氣進入烘箱，不但增加廢氣處理的難度，還會造成溫度不均導致溶劑殘留；負壓過小難以克服干燥氣流動壓影響，廢氣泄漏導致工作環境惡劣。
由于其煙氣溫度處于12cC～3。圍內，遠低于SCR催化劑活性溫度區間，而我國目前尚沒有成熟的低溫SCR治理技術，需要使用復雜的換熱器系統才能應用SCR技術，增加了能耗和設備投資，因此這些行業面臨著艱巨的N減排困難。由于工業鍋爐、水泥玻璃窯爐、冶金鋼鐵燒結爐、化工廠和酸洗設備排放的s，廣泛采用的是在脫硝裝置后增加濕法脫硫系統，即濕式石灰石一石膏脫硫工藝，因此聯合脫硫脫硝工藝不僅占地面積大，且投資和運行費用也較高，同時濕法脫硫會產生大量工藝廢水，每年產生的大量副產品石膏也只能堆置處理，既浪費資源、占用場地，又會產生二次污染。