但同期很多地市都提出了要求限期短期快速治理，迫于形勢、資金，以及技術和市場的紛繁亂象等，大多凹印企業倉促選擇了等離子、光催化、催化燃燒、光解等投資幾十萬的臨時過渡措施，也是很大的浪費。凹印VOCs末端治理方案的選擇基于目前的經濟、技術、環保、市場等條件，筆者認為凹印企業在選擇VOCs末端治理方案之前，必須注意以下3個方面。摸底凹印企業必須摸清VOCs排放量、濃度、成分等總體情況，統籌考慮方案，特別是治理設施入口廢氣風量、濃度、規律等需要反復確認，這是所有項目設計和運行的基礎，必須多方反復確認。減風和現場封閉優化凹印機烘箱結構，減少、合并、濃縮廢氣，減少排放總量，控制每色廢氣總量小于1m3/min或更小(但烘箱內部循環風量和風壓等保持不變)，可以通過手動熱風回用、自動LEL熱風回用等措施來實現。濃縮后廢氣濃度一般大于2.5g/m3，達到RTO自維持濃度，運行后凹印企業只需承擔RTO變頻風機的電費即可。但凹印機烘箱減風設計，涉及烘箱設計、無組織減少、墨槽封閉、系統保溫、烘干原理、凹印工藝、熱風回用等，需要科研院所、凹印機械廠、熱風系統集成商、凹印企業等多方統籌完成(國內凹印機上萬臺，凹印機械廠上百家，但烘干系統大多搬用國外機械廠2年前的系統，真正能獨立統籌開發設計的還沒有)，這樣才能實現以既定速度、風量、熱量、廢氣濃度完成有效烘干的目的(但廢氣濃度低于安全值)。
高溫煅燒后的爐料從外到內分別是：未反應料(在爐中起保溫作用)、氧碳化硅羼(半反應料，主要成分是C與SiO。)、粘結物層(是粘結很緊的物料層，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%～90%SiC，而且是立方SiC即β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽)、二級品SiC層(主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC即口一SiC，但結晶體較小、很脆弱，不能作為磨料)、一級品SiC層(SiC含量<96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大結晶體)、爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、粗碎、細碎、化學處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經過水選過程；要做成碳化硅制品還要經過成型與結燒的過程。
產能及需求
產能情況
有碳化硅冶煉企業200多家，年生產能力220多萬噸（其中：綠碳化硅塊120多萬噸，黑碳化硅塊約100萬噸）。冶煉變壓器功率大多為6300~12500kVA，冶煉變壓器為32000kVA。加工制砂、微粉生產企業300多家，年生產能力200多萬噸。2012年，碳化硅產能利用率不足45%。約三分之一的冶煉企業有加工制砂微粉生產線。碳化硅加工制砂微粉生產企業主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。
碳化硅冶煉生產工藝、技術裝備和單噸能耗達到世界水平。黑、綠碳化硅原塊的質量水平也屬。碳化硅與世界先進水平的差距主要集中在四個方面：一是在生產過程中很少使用大型機械設備，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅產量較低；二是在碳化硅深加工產品上，對粒度砂和微粉產品的質量管理不夠精細，產品質量的穩定性不夠；三是某些產品的性能指標與發達同類產品相比有一定差距；四是冶煉過程中一氧化碳直接排放。國外主要企業基本實現了封閉冶煉，而碳化硅冶煉幾乎全部是開放式冶煉，一氧化碳全部直排。2012年，企業開發出了封閉冶煉技術，實現了一氧化碳全部回收，但是距離全行業普及還有很長的路要走。
根據機床工業協會磨料磨具專委會碳化硅專家的數據，截至2012年底，全球碳化硅產能達260萬噸以上，產能達到1萬噸以上的有13個，占全球總產能的98%。其中碳化硅產能達到220萬噸，占全球總產能的84%。
碳化硅冶煉企業主要分布在甘肅、寧夏、青海、新疆、四川等地，約占總產能85%。
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